Vishay choisit la technologie AIXTRON SiC Multiwafer Batch pour une production améliorée de semi-conducteurs

AIXTRON SE, fournisseur d'équipements de dépôt pour l'industrie des semi-conducteurs, a annoncé que Vishay Intertechnology, Inc. a choisi son système de production d'épitaxie G10-SiC pour les besoins internes de Vishay en épitaxie SiC pour la fabrication de dispositifs de puissance. Située dans l'usine Vishay de Newport, certifiée automobile, dans le sud du Pays de Galles, la plate-forme G10-SiC offre une configuration flexible de la taille des plaquettes et prend en charge des niveaux élevés de productivité et d'uniformité dans la production de plaquettes.

Vishay Intertechnology, reconnu comme l'un des plus grands fabricants de semi-conducteurs discrets et de composants électroniques passifs, utilisera le système G10-SiC introduit par AIXTRON en septembre 2022. Cette technologie permet une uniformité et un débit optimaux dans la production de dispositifs de puissance SiC, essentiels pour divers composants électroniques dans plusieurs industries. Le système garantit un contrôle efficace des niveaux de dopage et maintient des performances supérieures sur différentes tailles de tranches, idéales pour les environnements de fabrication à haut volume.